Pažvelkite į pagrindinius „Aixtron G10“ komponentus, skirtus aukštos temperatūros SiC epitaksijos sistemoms. Aptariame CVD SiC dengtas grafito dalis, TaC dangos komponentus ir šiluminio lauko struktūras – ir kaip jie padeda užtikrinti proceso stabilumą, grynumo kontrolę ir plokštelių išeigą pažangioje puslaidininkių gamyboje.
Sužinokite, kas yra Halfmoon komponentas LPE reakcijos kameroje ir kaip jis palaiko šiluminį stabilumą, dujų srauto valdymą ir reaktoriaus struktūrą SiC epitaksijos sistemose. Ištirkite grafito medžiagas, CVD SiC dangą, TaC dangą ir šiuolaikines puslaidininkinių reaktorių technologijas.
Kovojate su „MicroLED“ išeiga? Sužinokite, kodėl pramonės lyderiai pereina prie SiC substratų ir TaC dengtų MOCVD komponentų, kad išspręstų šiluminį įtempį ir užterštumą dalelėmis. Sužinokite apie techninius CVD SiC pranašumus naujos kartos GaN ekranams
Naudojame slapukus siekdami pasiūlyti geresnę naršymo patirtį, analizuoti svetainės srautą ir suasmeninti turinį. Naudodamiesi šia svetaine sutinkate su mūsų slapukų naudojimu.Privatumo politika