Vaflinis substratasyra plokštelė, pagaminta iš puslaidininkinės monokristalinės medžiagos. Substratas gali tiesiogiai patekti į plokštelių gamybos procesą, kad būtų pagaminti puslaidininkiniai įtaisai, arba jį galima apdoroti epitaksiniu būdu, kad būtų pagamintos epitaksinės plokštelės.
Vaflinis substratas, kaip pagrindinė puslaidininkinių įtaisų atraminė struktūra, tiesiogiai veikia prietaisų veikimą ir stabilumą. Kaip puslaidininkinių įtaisų gamybos „pagrindas“, ant pagrindo reikia atlikti daugybę gamybos procesų, tokių kaip plonos plėvelės auginimas ir litografija.
Substratų tipų santrauka:
●Vieno kristalo silicio plokštelė: šiuo metu labiausiai paplitusi substrato medžiaga, plačiai naudojama integrinių grandynų (IC), mikroprocesorių, atmintinių, MEMS įrenginių, maitinimo įrenginių ir kt. gamyboje;
●SOI substratas: naudojamas didelio našumo, mažos galios integriniams grandynams, pvz., aukšto dažnio analoginėms ir skaitmeninėms grandinėms, RF įrenginiams ir galios valdymo lustams;
●Sudėtiniai puslaidininkiniai substratai: Galio arsenido substratas (GaAs): mikrobangų ir milimetrinių bangų ryšio įrenginiai ir kt. Galio nitrido substratas (GaN): naudojamas RF galios stiprintuvams, HEMT ir kt.Silicio karbido substratas (SiC): naudojamas elektrinėms transporto priemonėms, galios keitikliams ir kitiems galios įrenginiams Indžio fosfido substratas (InP): naudojamas lazeriams, fotodetektoriams ir kt.;
●Safyro substratas: naudojamas LED gamybai, RFIC (radijo dažnio integrinis grandynas) ir kt.;
„Vetek Semiconductor“ yra profesionalus SiC substrato ir SOI substrato tiekėjas Kinijoje. Mūsų4H pusiau izoliacinis SiC substratasir4H pusiau izoliacinis SiC substratasyra plačiai naudojami pagrindiniuose puslaidininkių gamybos įrangos komponentuose.
„Vetek Semiconductor“ yra įsipareigojusi puslaidininkių pramonei teikti pažangius ir pritaikomus „Wafer Substrate“ produktus ir įvairių specifikacijų techninius sprendimus. Mes nuoširdžiai tikimės tapti jūsų tiekėju Kinijoje.
