Akyto grafito kreipiamasis žiedas

Pagrindiniai produkto pranašumai

1. Itin didelio grynumo ir mažo defekto garantija

Taiko 3000 ℃ vakuuminį aukštos temperatūros valymo procesą, kad giliai pašalintų nemetalines priemaišas, tokias kaip deguonis ir azotas, todėl produkto grynumas padidėja iki ≥99,9995%. Jis pašalina priemaišų sukeltus kristalų defektus (pvz., mikrovamzdelius, išnirimus) iš šaltinio, užtikrina SiC monokristalų elektrinių savybių nuoseklumą ir stabilumą bei padeda tvirtą pagrindą aukštos kokybės kristalų augimui.

2. Itin aukštos temperatūros stabilumas ir tikslus šiluminio lauko reguliavimas

Gali atlaikyti itin aukštą 2200 ℃ temperatūrą argono arba vakuumo aplinkoje, veikia nuolat ir stabiliai daugiau nei 1000 valandų be minkštėjimo ar deformacijos. Produktas turi mažą šiluminio plėtimosi koeficientą, kuris gali veiksmingai išvengti medžiagos įtrūkimų, atsirandančių dėl šiluminės įtampos. Jis palaiko akytumo (15–30 %) gradiento pasiskirstymo dizainą ir optimizuoja porų dydį (10–200 μm) kartu su CFD (Computational Fluid Dynamics) modeliavimo technologija, kontroliuoja temperatūros gradiento svyravimus ±3 ℃ ribose ir žymiai pagerina šiluminio lauko vienodumą ir kristalų augimo nuoseklumą.

3. Individualus pritaikymas ir pasitenkinimas pagal visą scenarijų

• Geometrinės formos pritaikymas: gali tiksliai apdoroti sudėtingas formas, tokias kaip žiedinės statinės ir daugiasluoksnės skydo konstrukcijos pagal klientų krosnių konstrukcijas, kad būtų pasiektas tobulas suderinimas ir montavimas.
• Paviršiaus proceso pritaikymas: Teikia asmenines paviršiaus apdorojimo paslaugas, tokias kaip itin tikslus poliravimas ir specialios dangos, kurios žymiai padidina gaminio atsparumą korozijai ir tarnavimo laiką.

4. Patikrintas našumas ir atnaujintas efektyvumas

• Kai naudojamas kaip pagrindinis šiluminio lauko komponentas PVT SiC kristalizacijos procese, jis buvo patikrintas praktiniais scenarijais:
• Palyginti su tradiciniais grafito gaminiais, kristalų augimo greitis padidėja 15–20%, todėl gamybos ciklas žymiai sutrumpėja.
• 4 colių SiC monokristalinių plokštelių išeiga viršija 90%, efektyviai sumažinant gamybos sąnaudas.
• Įrangos priežiūros ciklas pailginamas nuo įprastų 3 mėnesių iki 6 mėnesių, sumažinant išjungimų dažnumą ir pagerinant gamybos efektyvumą.
  
  

Taikymo scenarijai

• PVT auginimo krosnies mazgas: tarnauja kaip pagrindinis SiC medžiagos sublimacijos ir kristalų augimo komponentas, užtikrinantis stabilų ir vienodą šiluminio lauko pasiskirstymą, kad būtų užtikrintas sklandus kristalizacijos proceso eiga.
• Šiluminio lauko ekranavimo komponentas: Unikali porėta struktūra gali veiksmingai sumažinti šiluminį įtempį, sumažinti įrangos nusidėvėjimą ir pailginti bendrą įrangos tarnavimo laiką.
• Sėklinių kristalų atramos priedas: pasižymi dideliu mechaniniu stiprumu, kad stabiliai palaikytų sėklinius kristalus, užtikrinant kryptingą kristalų augimą.
• Dujų difuzijos sluoksnis: optimizuoja dujų fazių perdavimo efektyvumą, skatina vienodą sublimaciją ir žaliavų nusodinimą bei dar labiau pagerina monokristalų kokybę ir augimo greitį.

Techniniai parametrai

Pagrindiniai konkurenciniai akcentai

• Ekstremalus aukštų temperatūrų našumas: išlaiko konstrukcijos stabilumą esant 2200 ℃ be minkštėjimo ar deformacijos, palaiko nepertraukiamą veikimą daugiau nei 1000 valandų, kad atitiktų ekstremalius proceso reikalavimus.
• Individualus terminio lauko sprendimas: remiasi CFD modeliavimo technologija, kad optimizuotų porų gradiento dizainą, tiksliai atitiktų klientų procesų poreikius ir pagerintų kristalų vienodumą bei produkto išeigą.
• Greitojo reagavimo paslauga: Teikia proceso parametrų derinimo testavimo paslaugas ir pristato prototipų sprendimus per 72 valandas, padėdamas klientams paspartinti MTEP ir gamybos procesus.