SiC krašto žiedas

Puslaidininkių gamybos srityje „SiC Edge“ žiedai, kaip pagrindiniai vaflių perdirbimo įrangos komponentai, revoliucionuoja pramoninį kraštovaizdį savo materialiomis savybėmis. Šio tikslaus komponento, pagaminto iš silicio karbido pavienių kristalų, vertė slypi ne tik aukštųjų technologijų turinyje, bet ir žymiai pagerinant derliaus ir optimizavimą veiklos išlaidų, kurias jis gali suteikti lustų gamintojams.

SiC krašto žiedo struktūrinės charakteristikos

Silicio karbido kraštų žiedai yra pagrindiniai puslaidininkių ėsdinimo įrangos komponentai, kurie yra pagaminti iš didelio grynumo silicio karbido medžiagų, paruoštų cheminio garų nusėdimo (CVD) metodu. Žiedinės struktūros skersmuo paprastai yra 200–450 mm, o storis kontroliuojamas 5–15 mm, pasižyminčiomis šiomis charakteristikomis:

1.extreme tolerancija: gali atlaikyti aukštos temperatūros aplinką, esančią 1500 ℃

2. Plazmos stabilumas: dielektrinė konstanta 9,7, skilimo įtampa 3mV/cm

3. Geometrinis tikslumas: Apvalumo paklaida ≤0,05 mm, paviršiaus šiurkštumas RA <0,2 μm

Proveržis gamybos procese

Šiuolaikinis paruošimo procesas priima trijų pakopų metodą:

1. Matricos formavimas: izostatinis presavimo formavimas užtikrina vienodą tankį

2. Aukštos temperatūros sukepinimas: tankinimo gydymas inertinėje atmosferoje esant 2100 ℃ ℃

3. Paviršiaus modifikacija: Nanoskalės apsauginiai sluoksniai susidaro per reaktyvų jonų ėsdinimą (RIE). Naujausias tyrimas rodo, kad silicio karbido krašto žiedų tarnybinis tarnavimo laikas padidėja 3% boro

Taikymo scenarijai

Tai rodo nesėkmingumą tenkinant 5 nm procesus:

2. Ordinimo vienodumas: jis gali išlaikyti ėsdinimo greičio nuokrypį ± 1,5% vaflio krašte

3. Taršos kontrolė: tai sumažina metalo taršą 92%, palyginti su tradicinėmis kvarco medžiagomis

4. Priežiūros ciklas: jis gali nuolat veikti 1500 valandų CF4/O2 plazmoje

„Veteksemicon“ pasiekė proveržį vidaus „SiC Edge“ žiedų gamyboje, o tai gali sutaupyti daug išlaidų išlaidų. Sveiki atvykę į mus bet kuriuo metu!