Technika ir sprendimai

Pasirinkus tinkamą CVD SiC, TaC dangą arba kietą SiC, epitaksijos / ėsdinimo linijose tiesiogiai nustatomas dalelių lygis ir komponento naudojimo laikas. Šiame straipsnyje pateikiamos aiškios pasirinkimo ribos pagal temperatūrą, atmosferą ir procesą, suderintos su pagrindiniais įrangos keitimo sprendimais ir pagrindine metrika, kad būtų lengviau priimti greitus sprendimus ir sumažinti riziką.

Sužinokite, kaip „VeTek“ vandeniu valdoma lazerinė technologija sukuria vienodas Φ0,15 mm kiaurymes 2 mm SiC substratuose be kūgiškumo, minimalaus HAZ ir didelio našumo puslaidininkiams.

Sudėtingiausia techninė puslaidininkinės įrangos tuščiavidurių kėlimo kaiščių problema yra ne išorinio paviršiaus danga, o stabilios ir vienodos tuščiavidurės konstrukcijos vidinės sienelės CVD dangos pasiekimas. Nuo vidinės sienelės dangos vienodumo kontrolės iki vidinės kiaurymės švaros užtikrinimo – kiekvienas proceso etapas tiesiogiai veikia plokštelių išeigą. Šiame straipsnyje analizuojami pagrindiniai iššūkiai, susiję su tuščiavidurių kėlimo kaiščių vidinės sienos dangomis ir pagrindiniais techniniais būdais.