Didelio grynumo SiC milteliai SiC kristalams auginti

1. Pagrindinės savybės

· Aukštas grynumo lygis:Grynumo galimybės siekia iki 99,9999% (6N klasė).

· Itin mažai metalinių priemaišų:Minimalus metalo užteršimas, optimizuotas SiC kristalų augimui.

· Visiškas skaidrumas:Galimi visi GDMS (glow Discharge Mass Spectrometry) bandymų duomenys apie kiekvieną partiją.

· Stabilus šiluminis našumas:Labai nuspėjamas ir vienodas sublimacijos elgesys PVT augimo metu.

· Kontroliuojamas dalelių dydžio pasiskirstymas:Kruopščiai stebima granulometrija, kad būtų išlaikytas pastovus pakavimo tankis.

· Pritaikytos formulės:Pasirinktiniai dalelių dydžiai ir pasiskirstymo kreivės galimi pagal užsakymą.

· Puslaidininkių kokybės standartas:Griežtai gaminami pagal puslaidininkių kokybės valdymo sistemas.

2. Produkto vaizdiniai

3. Techninės specifikacijos

4. Paraiškos

· PVT SiC kristalų augimas:Laidūs ir pusiau izoliuojantys SiC luitai.

· Puslaidininkiniai substratai:Vaflių substratas ir epitaksinio apdorojimo žaliava.

· Aukščiausios klasės šiluminiai komponentai:Pažangūs keraminiai komponentai ir susceptorių dangos.

· MTEP programos:Naujos kartos galios elektronikos tyrimai ir aukšto dažnio įrenginiai.

5. Kodėl verta rinktis VeTek Semiconductor?

· Patentuotas valymas:Pažangios valymo technologijos, užtikrinančios iki 6N grynumą, kad augtų vienas kristalas.

· Griežta kokybės kontrolė:Specialus kokybės užtikrinimas su griežta puslaidininkių lygio užterštumo kontrole.

· Tinkinimo lankstumas:Lankstus pritaikytas dalelių dydis, kad atitiktų skirtingas PVT krosnies tiglio specifikacijas.

· Stabili tiekimo grandinė:Patikimas tiekimo pajėgumas garantuoja stabilų ilgalaikį masinės gamybos pristatymą.

· Techninė kompetencija:Visapusiška techninė pagalba, pritaikyta jūsų specifiniams kristalų augimo procesams.