SiC dengtas planetų jautrininkas

SIC padengtas planetinis jautrininkas yra planetų laikiklis, padengtasSilicio karbidas (sic), kuris daugiausia naudojamas puslaidininkių medžiagų nusėdimo procesuose, tokiuose kaip metalo-organinio cheminio garų nusėdimas (MOCVD), molekulinės pluošto epitaksija (MBE) ir kt., Pagrindinė jo funkcija yra nešti ir pasukti vaflius, kad būtų užtikrintas medžiagos vienodumas ir šiluminis lauko nuoseklumas nusodinimo proceso metu. Pagrindinė jo funkcija yra nešiotis ir pasukti vaflius, kad nusėdimo metu būtų užtikrintas medžiagos vienodumas ir šiluminis lauko nuoseklumas, o SIC danga suteikia nešikliui puikų atsparumą aukštai temperatūrai, atsparumą korozijai ir šilumos laidumui, skirtam aukšto tikslumo puslaidininkiuiVaferisapdorojimas.

Pagrindiniai pritaikymo scenarijai SiC padengtam planetiniam jautrui

MOCVD epitaksinio augimo procesas

MOCVD procese SIC dengtas planetinis suvokėjas daugiausia naudojamas silicio (SI), silicio karbido (SIC), galio nitrido (GAN), galio arsenido (GaAs) ir kitų medžiagų vafliams nešioti.

● Funkciniai reikalavimai: Tikslus vaflių padėties nustatymas ir sinchronizuotas sukimasis, siekiant užtikrinti vienodą garų dispozuotų medžiagų pasiskirstymą ant vaflių paviršiaus ir padidinti plėvelės storio ir sudėties vienodumą.

● Pranašumas: SiC dangos yra labai atsparios korozijai ir gali atlaikyti labai reaktyvių metalų-organinių pirmtakų, tokių kaip trimetilgallalum (TMGA) ir trimetilidium (TMIN), eroziją, prailgindamos jų tarnavimo laiką.

Silicio karbido (SIC) galios prietaisų gamyba

SIC padengtas planetų jautrininkas yra plačiai naudojamas epitaksiniame SiC galios prietaisų, tokių kaip MOSFET, IGBT, SBD ir kiti prietaisai, augime.

● Funkciniai reikalavimai: Suteikite stabilią šiluminės išlyginimo platformą aukštos temperatūros aplinkoje, kad būtų užtikrinta epitaksinio sluoksnio kristalizacijos kokybė ir defektų valdymas.

● Pranašumas: SiC dangos yra atsparios aukštai temperatūrai (> 1600 ° C) ir turi šiluminio išsiplėtimo koeficientą (4,0 × 10^-6 k^-1), artimą silicio karbido vaflių, kurie veiksmingai sumažina šiluminius įtempius ir pagerina epitaksinio sluoksnio kokybę ir stabilumą.

Gilus ultravioletinis (DUV) ir ultravioletinis LED epitaksinė gamyba

SiC dengtas planetų jautrininkas yra tinkamas epitaksiniam medžiagų, tokių kaip galio nitridas (GAN) ir aliuminio gallio nitrido (algan), augimui ir yra plačiai naudojamas gaminant UV spindulius ir mikro šviesos diodus.

● Funkciniai reikalavimai: Išlaikykite tikslią temperatūros valdymą ir vienodą oro srauto pasiskirstymą, kad užtikrintumėte bangos ilgio tikslumą ir įrenginio veikimą.

● Pranašumas: Didelis šilumos laidumas ir atsparumas oksidacijai leidžia pasiekti puikų stabilumą aukštoje temperatūroje per ilgą veikimo laikotarpį, padedant pagerinti LED drožlių šviesos efektyvumą ir nuoseklumą.

Pasirinkite „Vekemicon“

„Veteksemicon SiC“ padengtas planetinis jautrininkas parodė nepakeičiamus pranašumus aukštoje temperatūroje, korozinėje puslaidininkių gamybos aplinkoje per savo unikalias medžiagų savybes ir mechaninę konstrukciją. Ir mūsų pagrindiniai planetų jautriųjų produktai yra SIC padengtas planetų jautrininkas,ALD PLANETINĖS PASTABOS, TAC dangos planetinis jautrininkasir taip toliau. Tuo pačiu metu „Veteksemicon“ yra įsipareigojusi tiekti individualius produktus ir technines paslaugas puslaidininkių pramonei. Mes nuoširdžiai tikimės būti jūsų ilgalaikis partneris Kinijoje.