SiC padengtas atraminis žiedas

Tai puslaidininkis, pagrindinis gamintojas ir tiekėjas, įsikūręs Kinijoje, specializuojasi gaminant įvairius produktus, įskaitantSiC padengti atraminiai žiedai: Mūsų atsidavimas slypi visapusiškoje techninės pagalbos ir optimalios produktų skiriamosiose vietose, pritaikytoms puslaidininkių sektoriui. Nesivaržykite susisiekti su mumis, kad gautumėte daugiau informacijos ir pagalbos.

Tai puslaidininkis'S.SiC padengti atraminiai žiedaiyra naujos kartos aukštai temperatūrai atsparioms medžiagoms. Kaip korozijai atsparios dangos, oksidacijai atsparios dangos ir atsparusias dilitančias dangas, jos gali būti naudojamos aukštesnėje nei 1650 ℃ aplinkoje ir yra plačiai naudojamos puslaidininkių laukuose.

Aukštos kokybės charakteristikosSiC padengti atraminiai žiedaiAtlikite labai svarbų vaidmenį epitaksiniame trečiosios kartos puslaidininkių komponentų augime.

Temperatūros vienodumo palaikymas: Tai padeda sumažinti šiluminius gradientus ir įtempius ant vaflinio paviršiaus, taip pagerinant epitaksinio sluoksnio kokybę.

Ekstremalus cheminis stabilumas: Epitaksinio augimo proceso metuSiC padengti atraminiai žiedaigeba atsispirti cheminiam reakcijos dujų poveikiui, prailgina atraminių žiedų tarnavimo laiką ir išlaiko proceso vientisumą. Šis cheminis stabilumas padeda sumažinti užteršimo riziką ir pagerinti puslaidininkinių įtaisų grynumą ir našumą.

Tikslus padėties nustatymas: SiC padengti atraminiai žiedai gali išlaikyti tikslią plokštelės padėtį, o tai labai svarbu norint pasiekti vienodą sluoksnio nusodinimą. Šis tikslus padėties nustatymas padeda užtikrinti epitaksinio sluoksnio storio ir kokybės nuoseklumą.

Pagrindinės fizinės CVD SIC dangos savybės:

„VeTek“ puslaidininkių gamybos parduotuvė:

Puslaidininkinio lustų „Epitaxy“ pramonės grandinės apžvalga: