CVD TAC padengtas trijų petalo kreipiamųjų žiedas

Silicio karbido vieno kristalo substrato medžiaga yra savotiška kristalinė medžiaga, priklausanti plačiosios juostos puslaidininkės medžiagai. Jis turi didelės įtampos atsparumo, aukštos temperatūros atsparumo, aukšto dažnio, mažo nuostolių ir tt pranašumus. Tai yra pagrindinė medžiaga, skirta paruošti didelės galios elektroninius įtaisus ir mikrobangų radijo dažnio įtaisus. Šiuo metu pagrindiniai SiC kristalų auginimo metodai yra fizinis garų pernešimas (PVT metodas), aukštos temperatūros cheminio garų nusėdimas (HTCVD metodas), skystos fazės metodas ir kt.

Fizinio garų transportavimo (PVT) metodas yra gerai nustatytas technika, labai tinkama dideliam masto pramoninei gamybai. Šiame procese SiC sėklų kristalas yra padėtas tiglio viršuje, o sic milteliai, tarnaujantys kaip žaliava, dedami į tiglio dugną. Esant aukštai temperatūrai ir žemai slėgiui uždaroje aplinkoje, SIC milteliai sublimato. Dėl temperatūros gradiento ir koncentracijos skirtumų sublimuota rūšis juda aukštyn link regiono šalia sėklų kristalo. Pasiekus pakitusią būseną, įvyksta perkristalizacija, leidžianti tiksliai valdyti išaugusių SiC kristalų dydį ir specifinį kristalų tipą.

CVD TAC padengtas tris žiedlapių kreipiamojo žiedas atlieka daugybę svarbių funkcijų. Pirmiausia jis padidina skysčių mechaniką, nukreipdamas dujų srautą, užtikrinant, kad kristalų augimo plotas veiktų vienoda atmosfera. Be to, jis efektyviai išsklaido šilumą SiC kristalų augimo proceso metu. Išlaikydamas tinkamą temperatūros gradientą, jis optimizuoja SiC kristalų augimo sąlygas ir sušvelnina kristalų defektų, kuriuos sukelia nelygus temperatūros pasiskirstymas, riziką.