SiC padengtas grafito susceptorius MOCVD

„Vetek Semiconductor's SiC“ dengtas grafito „MOCVD“ grafito jautrumas yra didelio grynumo SIC dengtas grafito nešiklis, specialiai sukurtas epitaksiniam sluoksnio augimui ant vaflių drožlių. Kaip pagrindinis MOCVD apdorojimo komponentas, paprastai formuojamas kaip pavara ar žiedas, jis gali pasigirti išskirtiniu atsparumu šilumai ir atsparumui korozijai, užtikrindamas stabilumą ekstremalioje aplinkoje.

Pagrindinės MOCVD SiC padengto grafito susceptoriaus savybės:

●   Dilbėjimui atspari danga: Užtikrina vienodą SiC dangos padengimą ant visų paviršių, sumažinant dalelių atskirties riziką

● Puikus aukštos temperatūros oksidacijos rezidentasce: Išlieka stabilus iki 1600 ° C temperatūroje

● Aukštas grynumas: Pagaminta naudojant CVD cheminį nusodinimą garais, tinka aukštos temperatūros chlorinimo sąlygoms

● Aukščiausias atsparumas korozijai: Labai atsparus rūgštims, šarmams, druskoms ir organiniams reagentams

● Optimizuotas laminarinis oro srauto modelis: padidina oro srauto dinamikos vienodumą

● Vienodas šiluminis pasiskirstymas: Užtikrina stabilų šilumos paskirstymą aukštos temperatūros procesų metu

●   Užteršimo prevencija: Apsaugo nuo teršalų ar priemaišų sklaidos, užtikrinant vaflių švarą

„VeTek Semiconductor“ laikomės griežtų kokybės standartų, tiekdami savo klientams patikimus produktus ir paslaugas. Mes pasirenkame tik aukščiausios kokybės medžiagas, siekdami atitikti ir viršyti pramonės veiklos reikalavimus. Mūsų SiC padengtas grafito susceptorius, skirtas MOCVD, parodo šį įsipareigojimą kokybei. Susisiekite su mumis ir sužinokite daugiau apie tai, kaip galime patenkinti jūsų puslaidininkinių plokštelių apdorojimo poreikius.

CVD SIC PLĖVELĖS KRISTOLŲ STRUKTŪRA:

Pagrindinės fizinės CVD SiC dangos savybės:

„VeTek“ puslaidininkis MOCVD Taigi padengta grafito atrama;