Produktai
CVD SiC padengtas grafito susceptorius, skirtas plokštelių nešikliui
  • CVD SiC padengtas grafito susceptorius, skirtas plokštelių nešikliuiCVD SiC padengtas grafito susceptorius, skirtas plokštelių nešikliui

CVD SiC padengtas grafito susceptorius, skirtas plokštelių nešikliui

VETEK CVD SiC padengtas grafito susceptorius, skirtas plokštelių nešikliui, yra didelio našumo plokštelių atraminis komponentas, skirtas puslaidininkių epitaksijos procesams. Gaminyje kaip substratas naudojamas labai grynas grafitas ir padengtas vienodu CVD silicio karbido (SiC) sluoksniu, užtikrinančiu puikų terminį stabilumą, cheminį atsparumą ir dalelių kontrolę. Kaip svarbus grafito susceptoriaus komponentas, jis tiesiogiai palaiko plokšteles reakcijos kameroje ir padeda išlaikyti vienodą temperatūros pasiskirstymą bei stabilias epitaksinio augimo sąlygas.

1. Produkto privalumai


  • Aukšto grynumo medžiaga:Puslaidininkinė grafito medžiaga ir tanki SiC dangos struktūra sumažina užteršimo riziką ir pagerina CVD SiC padengto grafito susceptoriaus patikimumą.
  • Puikus terminis vienodumas:Optimizuota grafito struktūra ir SiC danga užtikrina stabilų šilumos perdavimą ir vienodą plokštelės temperatūros kontrolę.
  • Puikus cheminis atsparumas:Tanki SiC danga pasižymi dideliu atsparumu proceso dujoms ir korozinei aplinkai.
  • Ilgas tarnavimo laikas:Didelis kietumas ir atsparumas dilimui pagerina ilgaamžiškumą aukštos temperatūros epitaksijos sąlygomis.
  • Mažas dalelių generavimas:Tankus CVD SiC paviršius sumažina dalelių išsiskyrimą ir pagerina plokštelių proceso patikimumą.
  • Individualaus dizaino galimybės:Galimi įvairių dydžių, konstrukcijų ir konfigūracijų pagal įrangos reikalavimus.



2. Techninės specifikacijos

Prekė
Tipinė vertė
Pagrindo medžiaga
Aukšto grynumo grafitas
Dengimo medžiaga
CVD silicio karbidas (SiC)
SiC grynumas
≥99,999 %
Dangos storis
100 ± 20 μm (pritaikoma)
Dangos storio vienodumas
Kontroliuojamas 10 μm atstumu tarp partijų
CVD SiC dangos tankis
3,21 g/cm³
Šilumos laidumas
300 W/m·K
Šiluminio plėtimosi koeficientas
4,5 × 10⁻⁶/K

3. Paraiškos


  • SiC epitaksijos procesas:Grafito susceptorius naudojamas kaip plokštelių nešiklis SiC epitaksijos įrangoje, palaikantis SiC substratus esant aukštai temperatūrai epitaksiniam augimui.
  • Silicio epitaksijos procesas:Naudojamas silicio epitaksiniuose reaktoriuose plokštelėms palaikyti ir stabilioms šiluminėms sąlygoms palaikyti.
  • MOCVD epitaksija:VETEK grafito susceptoriai tinka MOCVD, LED epitaksijai, GaN epitaksijai, silicio epitaksijai ir kitiems puslaidininkių gamybos procesams, kuriems reikalingas puikus terminis vienodumas ir cheminis stabilumas.
  • Puslaidininkių gamybos įranga:Suderinamas su įvairiomis epitaksijos platformomis, įskaitant LPE horizontalias krosnis, Aixtron, NuFlare ir susijusią puslaidininkinę įrangą.



4. Kodėl verta rinktis VETEK?

VETEK teikia pritaikytus CVD SiC dengtus grafito susceptorių sprendimus, integruojančius grafito valymo, tikslaus apdirbimo, CVD dangos ir tikrinimo galimybes. Mūsų puslaidininkiniai grafito susceptorių gaminiai pasižymi dideliu grynumu, vienodu dangos storiu, puikiomis šiluminėmis charakteristikomis ir ilgu tarnavimo laiku, kai reikia naudoti plokštelinius laikiklius.

Hot Tags: CVD SiC dengtas grafito siurblys, grafito susceptorius, SiC dengtas grafito plokštelių nešiklis, puslaidininkinis epitaksinis susceptorius, MOCVD grafito susceptorius, SiC plokštelės nešiklis, CVD SiC grafito susceptorius
Siųsti užklausą
Kontaktinė informacija
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
X
Naudojame slapukus siekdami pasiūlyti geresnę naršymo patirtį, analizuoti svetainės srautą ir suasmeninti turinį. Naudodamiesi šia svetaine sutinkate su mūsų slapukų naudojimu. Privatumo politika
AtmestiPriimti