TaC padengtas grafito plokštelės dangtelis

Pagrindiniai techniniai pranašumai

• Išskirtinis cheminis atsparumas: Sukurtas taip, kad atlaikytų atšiaurias ėsdinimo dujas (H₂, NH₃, HCl) esant temperatūrai nuo 1200°C iki 2000°C.

• Šiluminio plėtimosi suderinimas: Mūsų patentuotas CVD procesas užtikrina, kad TaC dangos optimizuotas CTE (šilumos plėtimosi koeficientas) atitiktų grafito substratą, neleidžiant atsilupti ar įtrūkti greito terminio ciklo metu.

• Aukščiausia dalelių kontrolė: Visiškai užsandarindamas akytą grafitą, TaC sluoksnis pašalina dalelių išsiliejimą, tiesiogiai padidindamas plokštelių išeigą ir sumažindamas reaktoriaus prastovos laiką.

• Prailgintas tarnavimo laikas: Labai atsparus dilimui paviršius, atlaikantis pasikartojančius valymo ciklus ir siūlo žymiai mažesnes eksploatavimo išlaidas (CoO), palyginti su nepadengtais arba SiC dengtais alternatyviais.

Tantalo karbido (TaC) danga ant mikroskopinio skerspjūvio

TaC padengto grafito plokštelės dangtelio žiedo gaminio parametras

Kodėl verta rinktis mūsų TaC dengiamuosius žiedus?

Suprantame, kad puslaidininkių gamyboje patikimumas prilygsta pelningumui. Mūsų TaC dengtų grafito plokštelių dangtelių žiedai yra bandomi serijiniu būdu dėl dangos tankio ir grynumo. Nesvarbu, ar pereinate nuo 6 colių į 8 colių plokštelių gamybą, ar optimizuojate aukštos temperatūros MOCVD procesą, mūsų žiedai užtikrina šiluminę ir cheminę apsaugą, būtiną pasaulinės klasės epitaksijai.