Produktai

„CVD TAC“ dangos dangtelis, kurį pateikė „Vetek“ puslaidininkis, yra labai specializuotas komponentas, skirtas specialiai reikliam pritaikymui. Su patobulintomis savybėmis ir išskirtiniu našumu mūsų „CVD TAC“ dangos dangtis suteikia keletą pagrindinių pranašumų. Mūsų „CVD TAC“ dangos dangtis suteikia būtiną apsaugą ir našumą, reikalingą sėkmei. Mes tikimės ištirti galimą bendradarbiavimą su jumis!

TAC dangos planetinis jautrininkas yra išskirtinis „Aixtron Epitaxy“ įrangos produktas. „Vetek Semiconductor“ TAC danga suteikia puikų atsparumą aukštai temperatūrai ir cheminį inertiškumą. Šis unikalus derinys užtikrina patikimą našumą ir ilgą tarnavimo laiką, net ir reikalaujančioje aplinkoje. „Vetek“ yra įsipareigojusi tiekti aukštos kokybės produktus ir tarnauti kaip ilgalaikis Kinijos rinkos partneris su konkurencingomis kainomis.

TAC danga gali atlaikyti aukštą 2200 ℃ aukštą temperatūrą. „Vetek“ puslaidininkis suteikia aukšto grynumo TAC dangą, kurios priemaišos yra mažesnės nei 5ppm Kinijoje. TAC dangos pjedestalo atraminė plokštė gali atlaikyti amoniako vandenilį, argoniną epitaksinės prietaiso reakcijos kameroje. Tai pagerina produkto aptarnavimo tarnavimo laiką. Jūs pateikiate reikalavimus, mes pateikiame pritaikymą.

„Vetek Semiconductor's TAC“ danga Chuck'as pasižymi aukštos kokybės paviršiumi, žinomu dėl išskirtinio atsparumo aukštai temperatūrai ir cheminį inertiškumą, ypač silicio karbido (SIC) epitaksijos (EPI) procesuose. Turėdami išskirtines savybes ir puikų našumą, mūsų „TAC“ danga suteikia keletą pagrindinių pranašumų. Mes esame įsipareigoję tiekti kokybiškus produktus konkurencingomis kainomis ir tikimės, kad būsime jūsų ilgalaikis partneris Kinijoje.

Puslaidininkių pramonėje CVD TAC dangos žiedas yra labai naudingas komponentas, skirtas patenkinti reikalaujančius silicio karbido (SIC) kristalų augimo procesų reikalavimus. „Vetek Semiconductor“ CVD TAC dangos žiedas suteikia puikų atsparumą aukštai temperatūrai ir cheminiam inertiškumui, todėl jis yra idealus pasirinkimas aplinkoje, kuriai būdinga aukštesnė temperatūra ir korozinės sąlygos. Mes esame įsipareigoję sukurti efektyvų silicio karbido vieno kristalų priedų gamybą. Jei norite gauti daugiau klausimų, susisiekite su mumis.

LPE SiC Epi Halfmoon yra specialus horizontalios epitaksinės krosnies dizainas, revoliucinis produktas, skirtas padidinti LPE reaktoriaus SiC epitaksijos procesus. Šis pažangiausias sprendimas pasižymi keliomis pagrindinėmis savybėmis, kurios užtikrina puikų našumą ir efektyvumą visose jūsų gamybos operacijose. „Vetek Semiconductor“ profesionaliai gamina LPE SiC Epi pusmėnulio 6 colių, 8 colių įstrižainės. Nekantraujame užmegzti ilgalaikį bendradarbiavimą su jumis.