Interneto meniu

Produktų paieška

Kalba

Produktai

SiC vieno krištolo augimo proceso atsarginės dalys

„Veteksemicon“ produktas, TheTantalo karbido (TAC) dangaProduktai, skirti SIC vieno kristalų augimo procesui, nagrinėja iššūkius, susijusius su silicio karbido (SIC) kristalų augimo sąsaja, ypač su visapusiškais defektais, atsirandančiais kristalo krašte. Taikydami TAC dangą, mes siekiame pagerinti kristalų augimo kokybę ir padidinti efektyvų kristalų centro plotą, kuris yra labai svarbus norint pasiekti greitą ir storą augimą.


TAC danga yra pagrindinis technologinis sprendimas, skirtas auginti aukštos kokybėsSic Vieno kristalų augimo procesas. Mes sėkmingai sukūrėme TAC dangos technologiją, naudodami cheminį garų nusėdimą (CVD), kuri pasiekė tarptautiniu mastu pažengusį lygį. TAC pasižymi išskirtinėmis savybėmis, įskaitant aukštą lydymosi tašką iki 3880 ° C, puikų mechaninį stiprumą, kietumą ir šiluminio smūgio atsparumą. Jis taip pat pasižymi geru cheminiu inertiškumu ir šiluminiu stabilumu, kai veikiama aukštos temperatūros ir medžiagų, tokių kaip amoniakas, vandenilis ir silicio turintys garai.


Vekekemicon'sTantalo karbido (TAC) dangaSiūlo sprendimą išspręsti su kraštu susijusias problemas SIC vieno kristalų augimo procese, pagerinant augimo proceso kokybę ir efektyvumą. Naudodamiesi pažangiomis TAC dangos technologijomis, mes siekiame paremti trečiosios kartos puslaidininkių pramonės plėtrą ir sumažinti priklausomybę nuo importuotų pagrindinių medžiagų.


PVT metodas SIC vieno kristalų augimo proceso atsarginės dalys:

PVT method SiC Single crystal growth process



TAC dengtas tiglis, sėklų laikiklis su TAC danga, TAC dangos kreipiamojo žiedas yra svarbios SIC ir Ain vienos kristalų krosnies dalys PVT metodu.

Pagrindinė funkcija:

● Aukštos temperatūros atsparumas

●  Didelis grynumas, neužterštų sic žaliavų ir SiC pavienių kristalų.

●  Atsparus al garams ir n₂corozui

●  Aukšta eutektinė temperatūra (su ALN), kad sutrumpintų kristalų paruošimo ciklą.

●  Perdirbamas (iki 200 val.), Tai pagerina tokių pavienių kristalų paruošimo tvarumą ir efektyvumą.


TAC dangos charakteristikos

Tantalum Carbide Coating Characteristics


Tipiškos TAC dangos fizinės savybės

TAC dangos fizinės savybės
Tankis 14.3 (g/cm³)
Specifinis spinduliavimas 0.3
Šiluminio išsiplėtimo koeficientas 6.3 10-6/K
Kietumas (HK) 2000 HK
Pasipriešinimas 1 × 10-5Ohm*cm
Šiluminis stabilumas <2500 ℃
Grafito dydžio pokyčiai -10 ~ -20um
Dangos storis ≥20um tipinė vertė (35um ± 10um)


View as  
 
Tantalo karbidas padengtas žiedas

Tantalo karbidas padengtas žiedas

Kaip profesionalus novatorius ir „Tantalum“ karbido dengtų žiedinių produktų lyderis Kinijoje, „Vetek“ puslaidininkių tantalum karbido dengtas žiedas vaidina nepakeičiamą vaidmenį SiC kristalų augime, pasižyminčiame puikiu atsparumu aukštai temperatūrai, atsparumui dėvėjimams ir puikiu šilumos laidumu. Sveiki atvykę į tolesnes konsultacijas.
Peržiūrėti daugiau >> Siųsti užklausą >>
CVD TAC dangos žiedas

CVD TAC dangos žiedas

Puslaidininkių pramonėje CVD TAC dangos žiedas yra labai naudingas komponentas, skirtas patenkinti reikalaujančius silicio karbido (SIC) kristalų augimo procesų reikalavimus. „Vetek Semiconductor“ CVD TAC dangos žiedas suteikia puikų atsparumą aukštai temperatūrai ir cheminiam inertiškumui, todėl jis yra idealus pasirinkimas aplinkoje, kuriai būdinga aukštesnė temperatūra ir korozinės sąlygos. Mes esame įsipareigoję sukurti efektyvų silicio karbido vieno kristalų priedų gamybą. Jei norite gauti daugiau klausimų, susisiekite su mumis.
Peržiūrėti daugiau >> Siųsti užklausą >>
Porėtas grafitas su TAC padengtu

Porėtas grafitas su TAC padengtu

Poruotas grafitas su padengtu TAC yra pažangi puslaidininkių apdorojimo medžiaga, kurią teikia „Vetek“ puslaidininkis. Porėtas grafitas su TAC dengtu sujungia akyto grafito ir tantalum karbido (TAC) dangos pranašumus, turinčius gerą šilumos laidumą ir dujų pralaidumą. „Vetek Semiconductor“ yra įsipareigojęs tiekti kokybiškus produktus konkurencingomis kainomis.
Peržiūrėti daugiau >> Siųsti užklausą >>
Tantalum karbido dengtas vamzdis kristalų augimui

Tantalum karbido dengtas vamzdis kristalų augimui

Tantalum karbido dengtas vamzdis kristalų augimui daugiausia naudojamas SiC kristalų augimo procese. „Vetek Semiconductor“ daugelį metų tiekia „Tantalum“ karbido dengtą vamzdelį, skirtą kristalų augimui, ir daugelį metų dirba TAC dangos srityje. Mūsų produktai turi didelį grynumą ir aukštą atsparumą temperatūrai. Mes tikimės tapti jūsų ilgalaikiu partneriu Kinijoje. Nesivaržykite mūsų teirautis.
Peržiūrėti daugiau >> Siųsti užklausą >>
TAC padengtas kreipiamojo žiedas

TAC padengtas kreipiamojo žiedas

TAC padengtas kreipiamojo žiedas yra pagamintas iš aukštos kokybės grafito ir TAC dangos. Rengiant SIC kristalus PVT metodu, „Vetek Semiconductor“ TAC padengtas kreipiamojo žiedas daugiausia naudojamas nukreipti ir valdyti oro srautą, optimizuoti vieno kristalų augimo procesą ir pagerinti vieno kristalų derlių. Su puikia TAC dangos technologija, mūsų produktai pasižymi puikiu atsparumu aukštai temperatūrai, atsparumui korozijai ir geros mechaninės savybės.
Peržiūrėti daugiau >> Siųsti užklausą >>
TaC padengtas grafito plokštelių laikiklis

TaC padengtas grafito plokštelių laikiklis

„VeTek Semiconductor“ klientams kruopščiai sukūrė TaC padengtą grafito plokštelių laikiklį. Jis sudarytas iš didelio grynumo grafito ir TaC dangos, kuri tinka įvairiems plokštelių epitaksiniam plokštelių apdorojimui. Jau daugelį metų specializuojamės SiC ir TaC dangose. Palyginti su SiC danga, mūsų TaC padengtas grafito plokštelių laikiklis yra atsparesnis temperatūrai ir atsparus dilimui. Mes tikimės tapti jūsų ilgalaikiu partneriu Kinijoje.
Peržiūrėti daugiau >> Siųsti užklausą >>
Kaip profesionalus SiC vieno krištolo augimo proceso atsarginės dalys gamintojas ir tiekėjas Kinijoje, mes turime savo gamyklą. Nesvarbu, ar jums reikia pritaikytų paslaugų, kad patenkintumėte specifinius jūsų regiono poreikius, ar norite nusipirkti pažangų ir patvarų SiC vieno krištolo augimo proceso atsarginės dalys, pagamintą Kinijoje, galite palikti mums pranešimą.
Naujienų rekomendacijos
Emtacinio proceso problemos
Emtacinio proceso problemosPeržiūrėti daugiau >>
Kaip TaC danga pagerina grafito komponentų tarnavimo laiką? - „VeTek“ puslaidininkis
Kaip TaC danga pagerina grafito komponentų tarnavimo laiką? - „VeTek“ puslaidininkisPeržiūrėti daugiau >>
SiC epitaksialinės augimo krosnies techniniai maršrutai
SiC epitaksialinės augimo krosnies techniniai maršrutaiPeržiūrėti daugiau >>
Kiek jūs žinote apie CVD SIC? - „Vetek“ puslaidininkis
Kiek jūs žinote apie CVD SIC? - „Vetek“ puslaidininkisPeržiūrėti daugiau >>
„Veteksemicon“ šviečia 2025 m. Šanchajaus „Semicon“ tarptautinėje parodoje
„Veteksemicon“ šviečia 2025 m. Šanchajaus „Semicon“ tarptautinėje parodojePeržiūrėti daugiau >>
Kaip SiC danga pagerina anglies kaibio atsparumą oksidacijai？
Kaip SiC danga pagerina anglies kaibio atsparumą oksidacijai？Peržiūrėti daugiau >>
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept