MOCVD technologija

„VeTek Semiconductor“ turi pranašumą ir patirtį gaminant MOCVD technologijos atsargines dalis.

MOCVD, pilnas metalo organinio cheminio garų nusodinimo (metal-organic Chemical Vapor Deposition) pavadinimas, taip pat gali būti vadinamas metalo-organinės garų fazės epitaksija. Organometaliniai junginiai yra junginių su metalo-anglies jungtimis klasė. Šiuose junginiuose yra bent viena cheminė jungtis tarp metalo ir anglies atomo. Metalo-organiniai junginiai dažnai naudojami kaip pirmtakai ir įvairiais nusodinimo būdais ant pagrindo gali sudaryti plonas plėveles arba nanostruktūras.

Metalo-organinis cheminis nusodinimas garais (MOCVD technologija) yra įprasta epitaksinio augimo technologija, MOCVD technologija plačiai naudojama puslaidininkinių lazerių ir šviesos diodų gamyboje. Ypač gaminant šviesos diodus, MOCVD yra pagrindinė galio nitrido (GaN) ir susijusių medžiagų gamybos technologija.

Yra dvi pagrindinės epitaksijos formos: skystosios fazės epitaksijos (LPE) ir garų fazės epitaksijos (VPE). Dujų fazės epitaksiją galima dar suskirstyti į metalo ir organinio cheminio nusodinimo garais (MOCVD) ir molekulinio pluošto epitaksiją (MBE).

Užsienio įrangos gamintojams daugiausia atstovauja Aixtron ir Veeco. MOCVD sistema yra viena iš pagrindinių lazerių, šviesos diodų, fotoelektrinių komponentų, galios, RF prietaisų ir saulės elementų gamybos įrangos.

Pagrindinės mūsų įmonės gaminamų MOCVD technologijos atsarginių dalių savybės:

1) Didelis tankis ir pilna kapsuliacija: visa grafito bazė yra aukštoje temperatūroje ir korozijoje, paviršius turi būti visiškai apvyniotas, o danga turi būti gerai sutankinta, kad atliktų gerą apsauginį vaidmenį.

2) Geras paviršiaus plokštumas: Kadangi grafito pagrindui, naudojamam monokristalų auginimui, reikalingas labai didelis paviršiaus lygumas, po dangos paruošimo reikia išlaikyti pradinį pagrindo lygumą, tai yra, dangos sluoksnis turi būti vienodas.

3) Geras sukibimo stiprumas: sumažinkite grafito pagrindo ir dangos medžiagos šiluminio plėtimosi koeficiento skirtumą, o tai gali veiksmingai pagerinti sukibimo stiprumą tarp dviejų, o dangą nesunku įtrūkti patyrus aukštą ir žemą temperatūrą. ciklas.

4) Didelis šilumos laidumas: aukštos kokybės drožlių augimui reikia, kad grafito pagrindas užtikrintų greitą ir vienodą šilumą, todėl dangos medžiaga turi turėti didelį šilumos laidumą.

5) Aukšta lydymosi temperatūra, atsparumas oksidacijai aukštoje temperatūroje, atsparumas korozijai: danga turi stabiliai veikti aukštoje temperatūroje ir korozinėje darbo aplinkoje.

Padėkite 4 colių substratą
Mėlynai žalia epitaksija, skirta LED auginimui
Įrengtas reakcijos kameroje
Tiesioginis kontaktas su plokštele Padėkite 4 colių substratą
Naudojamas UV LED epitaksinei plėvelei auginti
Įrengtas reakcijos kameroje
Tiesioginis kontaktas su plokštele „Veeco K868“ / „Veeco K700“ mašina
Balta LED epitaksija / Mėlynai žalia LED epitaksija Naudojamas VEECO įrangoje
MOCVD epitaksijai
SiC dangos susceptorius Aixtron TS įranga
Gilioji ultravioletinė epitaksija
2 colių substratas Veeco įranga
Raudona-geltona LED epitaksija
4 colių Wafer substratas TaC padengtas susceptorius
(SiC Epi / UV LED imtuvas) SiC padengtas susceptorius
(ALD / Si Epi / LED MOCVD susceptorius)