Koks yra vieno kristalo krosnies šiluminio lauko temperatūros gradientas?

Kas yraŠiluminis laukas?

Temperatūros laukasVieno kristalų augimasnurodo temperatūros pasiskirstymą vienoje kristalų krosnyje, dar vadinamą šiluminiu lauku. Kalcinavimo metu temperatūros pasiskirstymas šiluminėje sistemoje yra santykinai stabilus, kuris vadinamas statiniu šiluminiu lauku. Augant vieno kristalui, pasikeis šiluminis laukas, kuris vadinamas dinaminiu šiluminiu lauku.

Kai auga vienas kristalas, dėl nuolatinio fazės (skystos fazės iki kietos fazės) transformacijos, kietos fazės latentinė šiluma nuolat išsiskiria. Tuo pačiu metu kristalas ilgėja ir ilgesnis, lydalo lygis nuolat mažėja, o šilumos laidumas ir radiacija keičiasi. Todėl keičiasi šiluminis laukas, kuris vadinamas dinaminiu šiluminiu lauku.

Kas yra kietos skysčio sąsaja?

Tam tikru momentu bet kuriame krosnies taške yra tam tikra temperatūra. Jei taškus sujungsime erdvėje su ta pačia temperatūra temperatūros lauke, gausime erdvinį paviršių. Ant šio erdvinio paviršiaus temperatūra yra lygi visur, kurią mes vadiname izoterminiu paviršiumi. Tarp izoterminių paviršių viename kristalų krosnyje yra labai ypatingas izoterminis paviršius, tai yra sąsaja tarp kietos fazės ir skysčio fazės, todėl jis dar vadinamas kietojo skysčio sąsaja. Kristalas auga iš kietos skysčio sąsajos.

Kas yra temperatūros gradientas?

Temperatūros gradientas nurodo taško A temperatūros pokyčio greitį šiluminiame lauke iki netoliese esančio taško B. temperatūros, tai yra, temperatūros pokyčio greičiu vieneto atstumu.

KadaVieno krištolo silicioAuga, šiluminiame lauke yra dvi kietos ir tirpstančios formos, taip pat yra dviejų tipų temperatūros gradientai:

▪ Išilginio temperatūros gradientas ir radialinės temperatūros gradientas kristaluose.

▪ Išilginio temperatūros gradientas ir radialinės temperatūros gradientas lydyme.

▪ Tai yra du visiškai skirtingi temperatūros pasiskirstymai, tačiau temperatūros gradientas ties kietos skysčio sąsaja, kuri labiausiai gali paveikti kristalizacijos būseną. Radialinės kristalo temperatūros gradientas nustatomas pagal išilginį ir skersinį kristalo laidumą, paviršiaus spinduliuotę ir naują padėtį šiluminiame lauke. Paprastai tariant, centrinė temperatūra yra aukšta, o kristalo krašto temperatūra yra žema. Radialinę lydalo temperatūros gradientą daugiausia lemia aplink jį esantys šildytuvai, taigi centrinė temperatūra yra žema, temperatūra šalia tiglio yra aukšta, o radialinės temperatūros gradientas visada yra teigiamas.

Protingi šiluminio lauko temperatūros pasiskirstymai turi atitikti šias sąlygas:

▪ Išilginio temperatūros gradientas kristalyje yra pakankamai didelis, bet ne per didelisKristalų augimasNorėdami atimti latentinę kristalizacijos šilumą.

▪ Išilginio temperatūros gradientas lydyme yra palyginti didelis, užtikrinantis, kad lydyme nebus generuojami nauji kristalų branduoliai. Tačiau jei jis yra per didelis, nesunku sukelti dislokacijas ir lūžti.

▪ Išilginis temperatūros gradientas kristalizacijos sąsajoje yra tinkamai didelis, taip sudarant būtiną aušinimą, kad vienas kristalas turėtų pakankamai augimo impulsą. Jis neturėtų būti per didelis, kitaip susidarys struktūriniai defektai, o radialinės temperatūros gradientas turėtų būti kiek įmanoma mažas, kad kristalizacijos sąsaja būtų plokščia.

„Vetek Semiconductor“ yra profesionalus kinų gamintojasSic krištolo augimo porėtas grafitas, Monokristalinis, traukiantis tiglis, Traukite silicio vieno krištolo džigą, Monokristalinio silicio tiglis, Tantalum karbido dengtas vamzdis kristalų augimui.  „Vetek Semiconductor“ yra įsipareigojęs pateikti patobulintus sprendimus įvairiems „SiC Wafer“ produktams puslaidininkių pramonei.

Jei jus domina aukščiau išvardyti produktai, nedvejodami susisiekite su mumis tiesiogiai.  

Mob: +86-180 6922 0752

„WhatsApp“: +86 180 6922 0752

El. Paštas: anny@veteksemi.com