žinios

Silicio karbido (sic) krištolo augimo krosnys vaidina gyvybiškai svarbų vaidmenį gaminant aukštos kokybės sic vaflius naujos kartos puslaidininkių prietaisams. Tačiau aukštos kokybės SiC kristalų augimo procesas kelia didelių iššūkių. Nuo ekstremalių šiluminių gradientų valdymo iki kristalų defektų mažinimo, vienodo augimo užtikrinimo ir gamybos sąnaudų kontrolės, kiekvienam žingsniui reikalingi pažangūs inžineriniai sprendimai. Šiame straipsnyje bus analizuojami SIC krištolo augimo krosnių techniniai iššūkiai iš kelių perspektyvų.

„Smart Cut“ yra pažengęs puslaidininkių gamybos procesas, pagrįstas jonų implantacija ir vaflių nurišimu, specialiai sukurta ypač plonos ir labai vienodos 3C (kubinio silicio karbido) vaflių gamybai. Tai gali perkelti ypač plonas krištolo medžiagas iš vieno substrato į kitą, taip nutraukti originalius fizinius apribojimus ir pakeisti visą substrato pramonę.

Rengiant aukštos kokybės ir didelio pajamingumo silicio karbido substratus, šerdyje reikia tiksliai kontroliuoti gamybos temperatūrą geromis šiluminiu lauko medžiagomis. Šiuo metu daugiausia naudojami šiluminio lauko tiglio rinkiniai yra didelio grynumo grafito struktūriniai komponentai, kurių funkcijos yra šildyti išlydytus anglies miltelius ir silicio miltelius, taip pat šilumos palaikymą.

Pamatę trečiosios kartos puslaidininkius, tikrai susimąstysite, kas buvo pirmoji ir antroji kartų. Čia „karta“ klasifikuojama pagal medžiagas, naudojamas puslaidininkių gamyboje.

Elektrostatinis chuckas (ESC), dar žinomas kaip elektrostatinis chuck (ESC, E-Chuck), yra armatūra, kuri naudoja elektrostatinės adsorbcijos principą, kad būtų laikomas ir pritvirtindamas adsorbuotą medžiagą. Jis tinka vakuume ir plazmoje.

SiC vaflių laikikliai, kaip pagrindinės eksploatacinės medžiagos trečiosios kartos puslaidininkių pramonės grandinėje, jų techninės savybės daro tiesioginę įtaką epitaksinio augimo ir prietaisų gamybos derliui. Dėl didėjančios aukštos įtampos ir aukštos temperatūros prietaisų paklausos pramonės šakose, tokiose kaip 5G bazinės stotys ir naujos energetinės transporto priemonės, SIC vaflių vežėjų tyrimai ir taikymas dabar susiduria su didelėmis plėtros galimybėmis.