Naujienos

Nuodugni MOCVD epitaksijos grafito susceptorių silicio karbido dangos briaunų pageltimo ir lupimo priežasčių analizė. VeTek pašalino mikroįtempimą tiksliai valdydamas pradinį CVD nusodinimo greitį ir srauto lauką, padidindamas dangos išeigą nuo 50% iki 90% ir pailgindamas didelio grynumo grafito dalių tarnavimo laiką.

Išspręsdamas 1,4 % storio skirtumus tarp kišenės į kišenę kelių kišenių silicio epitaksinio grafito susceptoriuose, VeTek Semi pagerino suskeptoriaus plokštumą iki <0,08 mm ir sumažino svyravimą iki 0,69 % naudodama CVD srauto lauko modeliavimą ir itin tikslią SiC dangą, padidindama plokštelių išeigą.

Sužinokite, kaip Vetek pašalino radialinį įtrūkimą didelio dydžio MOCVD SiC padengtuose grafito susceptoriuose. Struktūrinio įtempių buferio pertvarkymas ir CTE suderinimas padidino tarnavimo laiką 300%+.

Dešimtmetis SiC evoliucijos – nuo ​​ankstyvų 4 colių komercializavimo iššūkių iki šiandieninio 8 colių plokštelių perėjimo. Sužinokite, kaip CVD SiC dangos, Solid SiC ir TaC medžiagos užtikrina patikimą puslaidininkių gamybą.

Sužinokite, kaip CVD SiC padengti grafito susceptoriai pagerina epitaksinį augimą pagerindami šiluminį vienodumą, sumažindami užterštumą ir pailgindami SiC, GaN, LED ir silicio puslaidininkių gamybos komponentų naudojimo laiką.

Sužinokite, kaip TaC dengti grafito šildytuvai pagerina temperatūros vienodumą, sumažina energijos sąnaudas ir prailgina GaN MOCVD epitaksijos tarnavimo laiką, palyginti su įprastais pBN dengtais šildytuvais.

Sužinokite, kaip CVD TaC danga pagerina SiC kristalų augimą PVT krosnyse, sumažindama anglies užterštumą, apsaugodama grafito komponentus, prailgindama tarnavimo laiką ir pagerindama pažangiosios puslaidininkių gamybos kristalų kokybę.

Sužinokite, kodėl CVD TaC danga tampa tinkamiausiu puslaidininkinio grafito komponentų apsauginiu sprendimu. Sužinokite apie jo pranašumus, pritaikymą SiC kristalų auginimui, GaN MOCVD ir plokštelių laikiklius bei kaip tai pagerina patvarumą, grynumą ir proceso stabilumą.

Sužinokite, kaip VETEK Pyrolytic Carbon (PyC) padengti grafito žiedai pagerina šiluminį stabilumą, sumažina užterštumą ir pailgina komponentų naudojimo laiką SiC kristalų augimo, epitaksijos, CVD ir aukštos temperatūros puslaidininkių procesuose.

Sužinokite, kaip CVD TaC danga pagerina SiC kristalų augimą ir puslaidininkių gamybą, turėdama itin aukštą šiluminį stabilumą, atsparumą korozijai, priemaišų slopinimą ir puikų našumą naudojant MOCVD ir epitaksiją.

Pažvelkite į pagrindinius „Aixtron G10“ komponentus, skirtus aukštos temperatūros SiC epitaksijos sistemoms. Aptariame CVD SiC dengtas grafito dalis, TaC dangos komponentus ir šiluminio lauko struktūras – ir kaip jie padeda užtikrinti proceso stabilumą, grynumo kontrolę ir plokštelių išeigą pažangioje puslaidininkių gamyboje.

Sužinokite, kas yra Halfmoon komponentas LPE reakcijos kameroje ir kaip jis palaiko šiluminį stabilumą, dujų srauto valdymą ir reaktoriaus struktūrą SiC epitaksijos sistemose. Ištirkite grafito medžiagas, CVD SiC dangą, TaC dangą ir šiuolaikines puslaidininkinių reaktorių technologijas.

Kovojate su „MicroLED“ išeiga? Sužinokite, kodėl pramonės lyderiai pereina prie SiC substratų ir TaC dengtų MOCVD komponentų, kad išspręstų šiluminį įtempį ir užterštumą dalelėmis. Sužinokite apie techninius CVD SiC pranašumus naujos kartos GaN ekranams

Išsiaiškinkite, kaip CVD SiC danga naudojama puslaidininkių procesuose, įskaitant jos struktūrą, veikimo charakteristikas ir tipinius pritaikymus, taip pat jos tinkamumą aukštoje temperatūroje.

Ar verta investuoti į CVD Solid SiC? Palyginkite monolitinio SiC ir tradicinių grafito dangų IG. Sužinokite, kaip didesnis atsparumas plazmai ir išplėstas MTBC sumažina plokštelių laužo skaičių ir ilgesnį įrangos veikimo laiką 12 colių HVM linijose.

Aukšto grynumo medžiagos yra būtinos puslaidininkių gamybai. Šie procesai apima didelį karštį ir ėsdinančias chemines medžiagas. CVD-SiC (Chemical Vapor Deposition Silicon Carbide) užtikrina reikiamą stabilumą ir stiprumą. Dabar tai yra pagrindinis pasirinkimas pažangioms įrangos dalims dėl didelio grynumo ir tankio.