Naujienos

Tantalum karbido (TAC) dangos yra plačiai naudojamos puslaidininkių lauke, daugiausia epitaksiniams augimo reaktorių komponentams, vieno kristalų augimo raktų komponentams, aukštos temperatūros pramoniniams komponentams, MOCVD sistemos šildytuvams ir vaflių nešikliams. Puikus aukštos temperatūros atsparumo ir korozijos atsparumas gali pagerinti įrangos duurumą, derlingumo ir kokybės kokybę, mažinti energijos vartojimą ir gerinimą.

SiC epitaksinio augimo proceso metu gali įvykti SIC padengtas grafito suspensijos gedimas. Straipsnyje atliekama griežta SIC dengto grafito suspensijos gedimo reiškinio analizė, kurioje daugiausia įeina du veiksniai: SiC epitaksinis dujų gedimas ir SiC dangos gedimas.

Šiame straipsnyje daugiausia aptariami atitinkami molekulinio pluošto epitaksijos proceso ir metalo-organinio cheminio nusodinimo garais technologijų pranašumai ir skirtumai.

„VeTek Semiconductor“ poruotas tantalo karbidas, kaip naujos kartos SiC kristalų auginimo medžiaga, turi daug puikių gaminio savybių ir atlieka pagrindinį vaidmenį įvairiose puslaidininkių apdorojimo technologijose.

Epitaksinės krosnies veikimo principas yra puslaidininkinių medžiagų nusodinimas ant pagrindo esant aukštai temperatūrai ir aukštam slėgiui. Silicio epitaksinis auginimas reiškia, kad ant silicio monokristalinio pagrindo su tam tikra kristalo orientacija išauginamas kristalo sluoksnis, kurio kristalų orientacija yra tokia pati kaip substratas ir kitokio storio. Šiame straipsnyje daugiausia pristatomi silicio epitaksinio augimo metodai: garų fazės epitaksija ir skystosios fazės epitaksija.

Cheminis garų nusėdimas (CVD) puslaidininkių gamyboje yra naudojamas kameroje dėti plonas plėvelės medžiagas, įskaitant SiO2, Sin ir kt., O dažniausiai naudojami tipai yra PECVD ir LPCVD. Koreguodamas temperatūrą, slėgio ir reakcijos dujų tipą, CVD pasiekia aukštą grynumą, vienodumą ir gerą plėvelę, kad atitiktų skirtingus proceso reikalavimus.

Šiame straipsnyje daugiausia aprašomos plačios silicio karbido keramikos taikymo perspektyvos. Taip pat daug dėmesio skiriama silicio karbido keramikos sukepinimo įtrūkimų priežasčių ir atitinkamų sprendimų analizei.

Puslaidininkių gamybos ėsdinimo technologija dažnai susiduria su tokiomis problemomis kaip įkėlimo efektas, mikroautovo efektas ir įkrovimo efektas, turinčias įtakos produkto kokybei. Tobulinimo sprendimai apima plazmos tankio optimizavimą, reakcijos dujų sudėties derinimą, vakuuminės sistemos efektyvumo gerinimą, pagrįsto litografijos išdėstymo projektavimą ir tinkamų kaukės ėsdinimo medžiagų ir proceso sąlygų pasirinkimą.

Karštas presavimo sukepinimas yra pagrindinis būdas paruošti aukštos kokybės SiC keramiką. Karšto presavimo sukepinimo procesas apima: didelio grynumo SIC miltelių pasirinkimą, presavimą ir formavimąsi aukštoje temperatūroje ir aukštame slėgyje, o po to sukepinant. SiC keramika, paruošta šiuo metodu, turi didelio grynumo ir didelio tankio pranašumus ir yra plačiai naudojamos šlifavimo diskuose ir šilumos apdorojimo įrangoje, skirtoje vaflių apdorojimui.

Pagrindiniai silicio karbido (SIC) augimo metodai yra PVT, TSSG ir HTCVD, kiekvienas turi skirtingus pranašumus ir iššūkius. Anglies pagrindu pagamintos šiluminio lauko medžiagos, tokios kaip izoliacijos sistemos, tipas, TAC dangos ir porėtas grafitas, padidina kristalų augimą, užtikrinant stabilumą, šilumos laidumą ir grynumą, būtiną tikslaus SIC gamybai ir pritaikymui.

SiC pasižymi dideliu kietumu, šilumos laidumu ir atsparumu korozijai, todėl puikiai tinka puslaidininkių gamybai. CVD SiC danga sukuriama cheminiu garų nusodinimu, užtikrinančiu aukštą šilumos laidumą, cheminį stabilumą ir atitinkamą gardelės konstantą epitaksiniam augimui. Mažas šiluminis plėtimasis ir didelis kietumas užtikrina ilgaamžiškumą ir tikslumą, todėl jis yra būtinas tokiose srityse kaip plokštelių laikikliai, pakaitinimo žiedai ir kt. „VeTek Semiconductor“ specializuojasi pritaikytose SiC dangose ​​įvairiems pramonės poreikiams.

Silicio karbidas (SIC) yra aukšto tikslumo puslaidininkių medžiaga, žinoma dėl puikių savybių, tokių kaip atsparumas aukštai temperatūrai, atsparumas korozijai ir dideliam mechaniniam stiprumui. Jis turi daugiau nei 200 kristalų struktūrų, kurių 3C-SIC yra vienintelis kubinis tipas, siūlantis puikų natūralų sferiškumą ir tankinimą, palyginti su kitomis rūšimis. „3C-SIC“ išsiskiria dėl didelio elektronų mobilumo, todėl jis idealiai tinka MOSFET galios elektronikai. Be to, tai rodo didelį nanoelektronikos, mėlynų šviesos diodų ir jutiklių potencialą.

Deimantas, potencialus ketvirtos kartos „galutinis puslaidininkis“, sulaukia dėmesio puslaidininkių substratuose dėl savo išskirtinio kietumo, šilumos laidumo ir elektrinių savybių. Nors didelės sąnaudos ir gamybos iššūkiai riboja jo naudojimą, CVD yra tinkamiausias metodas. Nepaisant dopingo ir didelio ploto krištolo iššūkių, deimantas žada.

SiC ir GaN yra plataus dažnio juostos puslaidininkiai, turintys pranašumų, palyginti su siliciu, pvz., didesnę gedimo įtampą, didesnį perjungimo greitį ir didesnį efektyvumą. SiC yra geresnis aukštos įtampos ir didelės galios įrenginiuose dėl didesnio šilumos laidumo, o GaN puikiai tinka aukšto dažnio įrenginiuose dėl savo puikaus elektronų mobilumo.

Garinimas elektronų pluoštu yra labai efektyvus ir plačiai naudojamas dengimo būdas, palyginti su atspariniu šildymu, kai garinimo medžiaga šildoma elektronų pluoštu, todėl ji išgaruoja ir kondensuojasi į ploną plėvelę.