Silicio karbido danga

Veteksemicon SiC padengta epitaksinio reaktoriaus kamera yra pagrindinis komponentas, skirtas sudėtingiems puslaidininkių epitaksinio augimo procesams. Naudojant pažangų cheminį nusodinimą iš garų (CVD), šis produktas sudaro tankią, labai gryną SiC dangą ant didelio stiprumo grafito pagrindo, todėl užtikrina puikų stabilumą aukštoje temperatūroje ir atsparumą korozijai. Jis veiksmingai atsparus koroziniam reaguojančių dujų poveikiui aukštos temperatūros proceso aplinkoje, žymiai sumažina užterštumą kietosiomis dalelėmis, užtikrina pastovią epitaksinės medžiagos kokybę ir didelį derlių bei žymiai pailgina reakcijos kameros priežiūros ciklą ir tarnavimo laiką. Tai pagrindinis pasirinkimas siekiant pagerinti plataus dažnių juostos puslaidininkių, tokių kaip SiC ir GaN, gamybos efektyvumą ir patikimumą.

Pagrindiniame silicio karbido epitaksinio augimo procese Veteksemicon supranta, kad susceptoriaus veikimas tiesiogiai lemia epitaksinio sluoksnio kokybę ir gamybos efektyvumą. Mūsų didelio grynumo EPI susceptoriai, sukurti specialiai SiC laukui, naudoja specialų grafito substratą ir tankią CVD SiC dangą. Dėl puikaus šiluminio stabilumo, puikaus atsparumo korozijai ir ypač mažo dalelių susidarymo greičio jie užtikrina neprilygstamą storį ir dopingo vienodumą klientams net ir atšiaurioje aukštos temperatūros proceso aplinkoje. Veteksemicon pasirinkimas reiškia pažangių puslaidininkių gamybos procesų patikimumo ir našumo kertinį akmenį.

Veteksemicon SiC padengtas grafito susceptorius, skirtas ASM, yra pagrindinis nešiklio komponentas puslaidininkių epitaksiniuose procesuose. Šiame produkte naudojama mūsų patentuota pirolitinio silicio karbido dengimo technologija ir tikslūs apdirbimo procesai, užtikrinantys puikų našumą ir itin ilgą tarnavimo laiką aukštos temperatūros ir korozinių procesų aplinkoje. Mes puikiai suprantame griežtus epitaksinių procesų reikalavimus, susijusius su substrato grynumu, terminiu stabilumu ir nuoseklumu, ir esame įsipareigoję klientams teikti stabilius, patikimus sprendimus, kurie pagerintų bendrą įrangos veikimą.

Veteksemicon fokusavimo žiedas sukurtas specialiai reikliems puslaidininkių ėsdinimo įrenginiams, ypač SiC ėsdinimo programoms. Sumontuotas aplink elektrostatinį griebtuvą (ESC), arti plokštelės, jo pagrindinė funkcija yra optimizuoti elektromagnetinio lauko pasiskirstymą reakcijos kameroje, užtikrinant vienodą ir sutelktą plazmos veikimą visame plokštelės paviršiuje. Didelio našumo fokusavimo žiedas žymiai pagerina ėsdinimo greičio vienodumą ir sumažina krašto poveikį, tiesiogiai padidindamas produkto išeigą ir gamybos efektyvumą.

Veteksemicon Silicio karbido laikiklio plokštelė, skirta LED ėsdinimui, specialiai sukurta LED lustų gamybai, yra pagrindinė ėsdinimo proceso dalis. Pagaminta iš tiksliai sukepinto didelio grynumo silicio karbido, jis pasižymi išskirtiniu cheminiu atsparumu ir matmenų stabilumu aukštoje temperatūroje, efektyviai atsparus stiprių rūgščių, bazių ir plazmos korozijai. Mažos užterštumo savybės užtikrina didelį LED epitaksinių plokštelių derlių, o ilgaamžiškumas, gerokai didesnis nei tradicinių medžiagų, padeda klientams sumažinti bendras eksploatavimo išlaidas, todėl tai yra patikimas pasirinkimas norint pagerinti ėsdinimo proceso efektyvumą ir nuoseklumą.

Veteksemi kieto SiC fokusavimo žiedas žymiai pagerina ėsdinimo vienodumą ir proceso stabilumą, tiksliai valdydamas elektrinį lauką ir oro srautą plokštelės krašte. Jis plačiai naudojamas silicio, dielektrikų ir sudėtinių puslaidininkinių medžiagų precizinio ėsdinimo procesuose ir yra pagrindinis komponentas, užtikrinantis masinės gamybos našumą ir ilgalaikį patikimą įrangos veikimą.