Tantalo karbido danga

„Vetek Semiconductor“ yra pagrindinis TAC dengtas trijų žiedų žiedų gamintojas ir novatorius Kinijoje. Mes daugelį metų specializuojamės TAC ir SIC dangoje. Mūsų produktai turi atsparumą korozijai, dideliam stiprumui. Mes tikimės, kad tapsime jūsų ilgalaikiu partneriu Kinijoje.

„Vetek Semiconductor“ yra pirmaujanti tantalum karbidu padengtas Chucko gamintojas ir novatorius Kinijoje. Mes daugelį metų specializuojamės TAC dangoje. Mūsų produktai turi aukštą grynumą ir aukštą atsparumą temperatūrai iki 2000 ℃. Mes tikimės tapti jūsų ilgalaikiu partneriu Kinijoje.

„Vetek Semiconductor“ yra pirmaujanti tantalum karbido dengto dangos gamintojas ir novatorius Kinijoje. Mes daugelį metų specializuojamės TAC ir SIC dangoje. Mūsų produktai turi atsparumą korozijai, dideliam stiprumui. Mes tikimės, kad tapsime jūsų ilgalaikiu partneriu Kinijoje.

„Vetek Semiconductor“ yra pirmaujanti pritaikyto „Ultra Pure“ grafito apatinio pusmėnulio Kinijoje tiekėjas, daugelį metų specializuojasi pažangias medžiagas. Mūsų ypač gryno grafito apatinis pusmėnulis yra specialiai sukurtas SIC epitaksinei įrangai, užtikrinančiai puikų našumą. Pagaminta iš „Ultra-Pure“ importuoto grafito, jis siūlo patikimumą ir ilgaamžiškumą. Apsilankykite mūsų gamykloje Kinijoje, kad ištyrtumėte mūsų aukštos kokybės ypač gryno grafito apatinį pusmėnulį iš pirmų rankų.

„Vetek Semiconductor“ yra pirmaujanti pritaikytos viršutinės pusmėnulio dalies, padengtos Kinijoje, tiekėja, kuri daugiau nei 20 metų specializuojasi pažangias medžiagas. „Vetek“ puslaidininkio viršutinė puslaidininko dalis, padengta SiC, yra specialiai sukurta SiC epitaksinei įrangai, tarnaujančiai kaip esminis komponentas reakcijos kameroje. Pagaminta iš „Ultra-Pure“, puslaidininkio lygio grafito, jis užtikrina puikų našumą. Kviečiame apsilankyti mūsų gamykloje Kinijoje.

„Vetek Semiconductor“ yra pirmaujanti pritaikyta silicio karbido epitaksijos vaflių nešiklio tiekėjas Kinijoje. Mes daugiau nei 20 metų specializuojamės pažengusioje medžiagoje. Mes siūlome silicio karbido epitaksijos vaflių nešiklį, skirtą SIC substrate, augančiam SIC epitaksiniam sluoksniui SICS epitaksiniame reaktoriuje. Šis silicio karbido epitaksijos vaflių nešiklis yra svarbi SiC dengta pusmėnulio dalies dalis, atsparumas aukštai temperatūrai, atsparumas oksidacijai, atsparumas dilimui. Mes sveikiname jus apsilankyti mūsų gamykloje Kinijoje. Norėdami bet kada pasikonsultuoti.